El ETF (DRAM) de Roundhill Memory incluye Micron, Sandisk, Samsung y SK Hynix en 1 Ticker por solo $ 60. Pero hay un problema.

La revolución de la inteligencia artificial (IA) se extiende mucho más allá de qué diseñador de chips fabrica las mejores unidades de procesamiento de gráficos (GPU). En el centro de las cargas de trabajo de IA se encuentran la memoria y el almacenamiento: la DRAM y los chips de memoria de alto ancho de banda (HBM) que mantienen grupos de entrenamiento masivos alimentados con datos a altas velocidades. A medida que los centros de datos escalan para admitir modelos de IA más grandes, la demanda de memoria está pasando de oscilaciones cíclicas de los productos básicos a un auge estructural sostenido.

El 2 de abril, el ETF de memoria de Roundhill (DRACMA +0,14%) fue lanzado. En sus primeros 27 días de negociación, el fondo acumuló 6.500 millones de dólares en activos bajo gestión (AUM), lo que lo convierte en el lanzamiento más rápido de cualquier ETF en la historia. La oferta pública inicial del ETF se realizó a 28 dólares por acción y ya se cotiza a poco más de 60 dólares.

DRAM agrupa a los principales fabricantes de chips de memoria del mundo en un único vehículo que cotiza en EE. UU., lo que ofrece a los inversores una forma simplificada de beneficiarse del superciclo de memoria de IA en curso.

¿Quiénes son los actores clave del superciclo de la memoria de la IA?

Las cargas de trabajo de IA a hiperescala requieren hasta 10 veces más DRAM para mantener los clústeres de GPU funcionando sin cuellos de botella de latencia. HBM se ha convertido en un recurso imprescindible, que impulsa todo, desde la formación en modelos de lenguajes grandes (LLM) hasta implementaciones de inferencia a escala. Estas dinámicas han cambiado la oferta y la demanda en todo el panorama de la infraestructura de IA, otorgando a los fabricantes de memoria un poder de fijación de precios sin precedentes.

Aproximadamente tres cuartas partes de la cartera del ETF Roundhill Memory están invertidas en tres acciones de memoria: SK Hynix de Corea del Sur y Samsung Electronics, junto con la estadounidense Tecnología de micrones (MU 0,74%). Roundhill captura la exposición a líderes flash NAND como Kioxia y Sandisk (SNDK 1,33%)así como especialistas en almacenamiento como Tecnología Seagate y Digital occidental.

Por qué es importante la diversificación global

Una de las características más interesantes de la DRAM es su composición. Los inversores obtienen participaciones inmediatas en el duopolio coreano de Samsung y SK Hynix, nombres cuyo acceso resulta difícil para el comercio minorista estadounidense (e incluso para muchos inversores institucionales), ya que ninguno de los dos ofrece certificados de depósito estadounidenses (ADR) en este momento.

Parece que la demanda de memoria de IA evoluciona cada trimestre a medida que se lanzan nuevas arquitecturas de modelos y cargas de trabajo de inferencia. Si bien este ETF es menos diverso que un fondo promedio (el 74% de sus participaciones están en solo tres acciones), invertir en el ETF Roundhill Memory proporciona una exposición diversificada de otras maneras, como en la innovación de memoria de EE. UU. (Micron), la fabricación coreana y los actores de apoyo en NAND y almacenamiento. Este nivel de conveniencia es importante en la inversión temática.

Además, la diversificación ayuda a mitigar los riesgos de invertir en una sola acción. Incluso si un jugador registra ganancias monstruosas, el fondo captura ventajas más amplias en toda la cadena de valor de la memoria.

Fideicomiso Roundhill ETF – Roundhill Memory ETF

El cambio de hoy

(0,14%) $0,10

Precio actual

$68.09

Puntos de datos clave

Rango del día

$67.05 -$69,51

Rango de 52 semanas

$26.14 -$69,51

Volumen

14,6 millones

El ETF de Roundhill Memory tiene un problema

Una parte de la exposición del fondo, particularmente a Micron, proviene de swaps de retorno total y contratos de derivados apalancados, además de la propiedad directa de acciones. Estos instrumentos están diseñados para mejorar la rentabilidad mediante una exposición amplificada. Los inversores inteligentes saben que los swaps y los contratos apalancados también pueden magnificar las pérdidas durante las correcciones.

Esta estructura no es infrecuente en ETF de nicho muy concentrados y, en mi opinión, no debería ser un factor decisivo. En total, el ETF Roundhill Memory sigue siendo un vehículo convincente porque resuelve el problema de acceso de acciones extranjeras y al mismo tiempo captura uno de los movimientos seculares más claros en los semiconductores de IA en este momento.

Además, el lanzamiento récord de DRAM subraya la convicción generalizada de que la memoria y el almacenamiento se están convirtiendo en una columna vertebral indispensable para respaldar la construcción de infraestructura de IA. Creo que DRAM es una excelente posición para los inversores que desean una exposición específica a una parte en auge de la pila de hardware de IA sin los riesgos y las molestias de elegir una sola acción.